1月25日，江苏证监局披露了苏州东微半导体股份有限公司（下称“东微半导体”）的辅导中期备案报告，公司确定将前往科创板上市，中金公司担任辅导机构。
东微半导体成立于2008年，是一家国产功率半导体厂商，其产品有高压GreenMOS系列、中低压SGTMOS系列以及IGBT，产品应用领域主要包括：快速充电器、充电桩应用、开关电源、直流电机驱动、光伏逆变器等。
值得注意得是，在快速充电器市场，随着消费者对功率密度要求与日俱增，氮化镓（GaN）充电器凭借着其功率大、体积小、效率高的特点，逐渐步入人们的视线之中。而在2020年2月，小米在发布会上展示的65W GaN充电器，更是让GaN备受瞩目。
西南证券指出，由于技术、良率等问题，（GaN产品）价格相对昂贵。随着 GaN 技术的革新升级，性能及成本优势加持下，GaN 未来有望成为主流快充技术。
《科创板日报》记者注意到，东微半导体的产品同样可应用于快充领域，但公司确并非选用GaN材料，而是采用公司自主研发的超级硅系列MOSFEST。公司在官网上宣传称，实现同样功率密度和体积，超级硅系列具有更低的成本、更简易的设备、更高的可靠性等。
进一步来看，GaN的特点之一是开关频率高，开关频率是指充电头内部晶闸管可控硅等电子元件每秒可以完全导通、断开的次数。开关频率高可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电头的体积和重量。
比如目前逆变器运行电压高达1000V，开关频率高达20kHz，普通的硅基IGBT、MOSFET很难满足这样的运行要求。而东微半导体官网发布的文章显示，其超级硅系列高压MOS管OSS65R340JF，在更高频率400KHz条件下效率依然与GaN功率器件保持一致。
在功率密度上，上述文章显示，以65W的PD为例，基于东微超级硅系列的MOS做的Demo方案 最大功率密度可达1.38W/cm?，与之相比，小米10Gan快充最高功率密度为1.217W/cm?。
而在成本方面，东微半导体提到，其器件成本大概为同等规格GaN器件25-50%。
《科创板日报》记者梳理发现，除了东微半导体外，配件厂商倍思也推出过超级硅快充充电器，输出功率20W，可适配苹果PD 20W快充。
除超级硅系列MOSFEST产品外，在充电桩应用领域，东微半导体是国内最早开始替换进口器件应用于直流充电桩的公司，官网显示，其GreenMOS系列产品从2015年上市至2019年底，累计出货超600万颗，是国内直流充电桩核心功率器件第一大供应商。
值得注意的是，公司对充电桩应用页面介绍的背景图片显示的是一辆特斯拉汽车，这是否意味着公司的产品已进入特斯拉充电桩供应链之中？记者在今日也尝试联系东微半导体董秘办，但未获正面回应。这尚待公司后续在招股书中进一步的披露。
在股权结构方面，2020年12月，国策投资、智禹东微、丰辉投资、中新创投及上海烨旻合计向东微半导体增资1.55亿元，认购东微半导体新增股份295.0093 万股。
上述增资事项完成后，公司董事王鹏飞个人持股16.0872%，为公司第一大股东，董事长龚轶持股13.2791%，为第三大股东。
机构股东中，元禾控股旗下的原点投资持股15.1834%，为第二大股东；国家大基金旗下的上海聚源聚芯和华为旗下的哈勃投资分别持股9.9512%和6.5913%，位列第四和第六大股东；中小企业发展基金（深圳有限合伙）持股4.9756%，为公司第7大股东。
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