今日上午,中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示,“我们的FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。”亚汇网了解到,前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发副总裁,是公司五大核心人才之一,参与了FinFET工艺研发。此前吴金刚博士离职时,中芯国际发表公告,表示离职后,吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行,吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。目前,台积电、三星在5nm/7nm工艺段都采用FinFET结构,而在下一世代3nm工艺的晶体管结构选择上,两者出现分歧。三星选择采用GAA结构,台积电则出于稳健考虑,选择在第一代3nm工艺继续沿用FinFET技术。近日,三星代工厂流片了基于环栅(GAA)晶体管架构的3nm芯片,通过使用纳米片(Nanosheet)制造出了MBCFET(多桥通道场效应管),可显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管CharlieBae表示:“基于GAA结构的下一代工艺节点(3nm)将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界,同时加强我们的技术领先地位”。分析称,2nm或将是FinFET结构全面过渡到GAA结构的技术节点。在经历了PlanarFET、FinFET后,晶体管结构将整体过渡到GAAFET结构上。根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划,在2021-2022年以后,FinFET结构将逐步被GAA结构所取代。
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