官方表示,目前芯片多使用通孔在芯片中布线,随着制程提升,这种方式可以使得连接电阻增加10倍,从而抵消制程进步带来的优势。据亚汇网了解,新的布线方法名为EnduraCopperBarrierSeedIMS,使用铜材质填充通孔,采用了7项工艺和方法来实现。具体方法包括表面处理、定向ALD沉积、PVD、CVD、铜回流等,可以在狭窄的缝隙内填充铜元素,使得电阻降低50%以上。应用材料公司半导体产品部高级副总裁PrabuRaja表示,“智能手机芯片具有数百亿条铜连接线,布线的内阻消耗了芯片三分之一功率。这项技术在真空中进行加工,集成多项技术,重新设计材料和结构,可以使得电子产品获得更长的续航时间。”
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9月25日,首届北京国际游戏创新大会(BIGC)在北京举行。开幕式当天,主办方协同伽马数据共同发布了《2020中国游戏创新及发展趋势报告》(以下简称《报告》),对中国游戏整体市...
上市仅半年的伟源控股9月25日午后跳水,暴跌逾90%,单日蒸发逾40亿港元。截至当日收盘,股价报0.236港元,创上市以来新低,跌幅94.11%,总市值2.5亿港元,单日抹去上市以来累计涨幅。...
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本文“美国公司推出新型芯片布线技术:可用于 3nm 工艺,大幅减小内阻”由FX112财经网
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